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和旗舰的处理器相比,骁龙778G是什么水平

#和旗舰的处理器相比,骁龙778G是什么水平| 来源: 网络整理| 查看: 265

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  先说结论:骁龙778基本等同于低功耗版的骁龙855(介于小龙845和骁龙855之间,接近骁龙855)和骁龙888的差别有50%之多,差距明显,功耗是一大亮点。

  

  骁龙778是高通发布的一款全新的中端处理器,是骁龙780G的稍阉割版,目前由荣耀50系列首发并短暂独占。

  他的综合性能基本等同于低功耗版的骁龙855,也就是刚好达到了两年前旗舰处理器的水平,符合高通中端处理器的一贯尿性(当代中端和两年前旗舰的性能相当,功耗更好一些),相比于前代的骁龙765G提升明显,但是相比于当代的旗舰处理器骁龙870,骁龙888,天玑1100/1200和麒麟9000等,差距还是比较明显的,我们来做一个比较详细的对比:

  项目一:工艺&功耗

  骁龙778:台积电6nm 峰值功耗4W左右

  天玑1100/1200:台积电6nm 峰值功耗 4.5W左右

  骁龙888:三星5nm 峰值功耗 8.5W左右

  骁龙778在工艺方面的表现还是很不错的,采用的是台积电的6nm工艺,台积电的6nm工艺实际上是三星7nm工艺的改进款,多了一层EUV工艺,芯片密度提升了18%,功耗降低8%,其实大家可以把它当作是台积电的7nm+EUV工艺(也就是用在麒麟990 5G和A13系列芯片上的工艺水准)。

  这个工艺虽然比不上台积电的5nm工艺,但是相比于三星目前的“漏电王”5nm的表现估计是半斤八两的,否则的话高通也不至于舍近求远把骁龙778交给台积电去代工了。

  等同于骁龙855的性能用上了7nm+EUV的工艺,骁龙778的功耗水平确实比较出色,这一点我们在其大哥骁龙780G的功耗测试上就能够看出,GPU峰值功耗只有3.46W,低于骁龙865的3.91W,远远低于骁龙888的8.4W的可怕功耗,不过还是高于骁龙765G的功耗水平。

  

  总之,骁龙778G在功耗方面延续了此前7系列的优良传统,对于手机的续航压力会小很多。

  项目二:CPU性能

  

  骁龙778:Cortex A78 2.4Ghz超大核心+三颗Cortex A78 2.2Ghz大核心+4颗A55 1.9Ghz小核心,三从集式架构,主频不高。

  天玑1100/1200:4×Cortex A78 2.6Ghz+4×Cortex A55 2.0Ghz,传统的4+4模式,四颗大核心+四颗小核心。

  骁龙888:1×Cortex X1 2.84GHz+3×A78 2.4GHz+4×A55 1.8GHz,三从集式架构,一颗Cortex X1大核心的主频达到了2.84Ghz,三颗A78核心的主频倒不算太高。

  从上述的参数大家应该及很容易看出骁龙778G的CPU架构和其他两款旗舰芯片的差距了,主要差距体现在大核的频率方面,具体我们来看跑分:

  骁龙778G:单核心786,多核心2900

  天玑1100:单核心865↑12%,多核心3058↑10%

  骁龙888:单核心1134↑35%,多核心3769↑35%

  从跑分上来看,骁龙778G相比于当代的旗舰处理器的差距还是非常明显的,尤其是和自家老大哥骁龙888相比,差距在30%以上。

  项目三:GPU

  因为在GPU方面各家采用的内核都不太一样,高通是Adreno系列GPU,自主研发;二联发科采用的则是ARM提供的Mail内核,,两个内核之间无法做验证,所以我们直接跑个分:(曼哈顿3.1)

  骁龙778G:56帧

  天玑1100:83帧

  骁龙888:119帧

  高端处理器和中端处理器的差别一般都会在GPU层面体现得比较明显,这一次也不例外,骁龙888的GPU性能几乎是骁龙778的两倍以上,差距较大,就算他和目前联发科的天玑1100系列芯片相比差距也是比较明显的,

  项目四:闪存运存支持情况

  骁龙778G:UFS3.1+LPDDR5 3200mHZ

  天玑1100:UFS3.1+LPDDR4X 2133Mhz

  骁龙888:UFS3.1+LPDDR5 3200mHZ

  在闪运存的支持层面,骁龙778G的表现不错,支持UFS3.1和LPDDR5,不过考虑到成本和定位的问题,手机厂商给骁龙778配UFS3.1+LPDDR5的概率不大。

  至于基带,ISP,NPU等模块对于普通用户的影响比较小,所以也就不再详细罗列,总的来讲,骁龙778G的实际性能略弱于骁龙855,和目前市面上的旗舰处理器差别较为明显,尤其是在GPU层面差距更是巨大,不可同日而语,它更多地是担负起替换骁龙765G的重任,未来肯定会慢慢进入千元市场。

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