半导体材料（第三版） mobi epub pdf txt 电子书 下载 2024

第1章 硅和锗的化学制备1-1 硅和锗的物理化学性质1-2 高纯硅的制备1-3 锗的富集与提纯

第2章 区熔提纯2-1 分凝现象与分凝系数2-2 区熔原理2-3 锗的区熔提纯

第3章 晶体生长3-1 晶体生长理论基础3-2 熔体的晶体生长3-3 硅、锗单晶生长

第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷4-1 硅、锗晶体中杂质的性质4-2 硅、锗晶体的掺杂4-3 硅、锗单晶的位错4-4 硅单晶中的微缺陷

第5章 硅外延生长5-1 外延生长概述5-2 硅衬底制备5-3 硅的气相外延生长5-4 硅外延层电阻率的控制5-5 硅外延层的缺陷5-6 硅的异质外延

第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性6-2 砷化镓单晶的生长方法6-3 砷化镓单晶中杂质的控制6-4 砷化镓单晶的完整性6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备

第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长7-1 气相外延生长（VPE）7-2 金属有机物气相外延生长（MOVPE）7-3 液相外延生长（LPE）7-4 分子束外延生长（MBE）7-5 化学柬外延生长（CBE）7-6 其他外延生长技术

第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体8-1 异质结与晶格失配8-2 GaAlAs外延生长8-3 InGaN外延生长8-4 InGaAsP外延生长8-5 超晶格与量子阱8-6 应变超晶格8-7 能带工程

第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物单晶材料的制备9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料

第10章 低维结构半导体材料10-1 低维结构半导体材料的基本特性10-2 低维结构半导体材料的制备10-3 低维结构半导体材料的现状及未来

第11章 氧化物半导体材料11-1 氧化物半导体材料的制备11-2 氧化物半导体材料的电学性质11-3 氧化物半导体材料的应用

第12章 照明半导体材料12-1 LED的基本结构12-2 外延生长GaN衬底材料的选择12-3 外延生长的发展趋势12-4 外延片结构改进

第13章 其他半导体材料13-1 窄带隙半导体13-2 黄铜矿型半导体13-3 非晶态半导体材料13-4 有机半导体材料参考文献 半导体材料（第三版） 下载 mobi epub pdf txt 电子书 格式