外媒震惊，中国竟然已经量产3nm芯片，这就是中国速度

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近日消息指出中国已量产3nm，不过仔细看了下其实是指中国已具备封测3nm芯片，当然这对于中国芯片来说已是了不起的进步，因为封测也是芯片制造的重要环节之一。

芯片的生产包括芯片设计、芯片制造、芯片封测等诸多环节，在芯片设计方面，中国已经达到全球领先水平，华为海思等芯片企业已可设计出3nm工艺的芯片，这也是当前中国芯片最先进的部分。

芯片制造则是中国芯片行业当前面临困难的一部分，主要是因为中国难以获得最先进的EUV光刻机，即使如此中国利用现有的14nm工艺加上芯片叠加技术可以获得接近7nm工艺的芯片，虽然与台积电的5nm还有差距，但是14nm可以满足中国七成芯片需求，7nm则可以满足九成芯片需求。

芯片制造其实又可以分成八大环节，这八大环节其实除了光刻机之外，其他都已达到14nm及更先进水平，其中的刻蚀机是中国芯片制造所取得的最先进水平，中国已量产5nm刻蚀机，据悉5nm刻蚀机将交给台积电使用，获得台积电的认可足可以说明刻蚀机的技术水平已足够先进。

芯片生产出来后，进入封测环节，封测是芯片最后一个生产环节，芯片从芯片制造厂出来后其实是一大片晶圆，上面会有数百颗芯片，封测就是将其中性能完好的芯片挑选出来，然后接上外接电路并加上保护外壳，这个过程同样重要，因为晶圆生产出来后会存在一些坏芯片，而芯片要实现它的性能也需与外部电路完美连接才能达到最佳。

中国达到3nm水平的就最后一道封测环节，达到如此水平的是一家中国大陆名叫利扬的芯片封测公司，这家封测企业长期专注于芯片封测行业，多年来长期坚持研发投入，因此在封测行业居于全球领先水平，正是技术的积累与持续投入让它取得了3nm封测技术。

由于芯片生产是一个相当长的产业链，实现先进工艺的量产需要各个产业链企业共同配合，如今中国芯片产业链在芯片设计、刻蚀机、封测等环节取得全球领先水平，将有可能因此以点带面，最终实现全面突破。

另外随着芯片制造技术逐渐达到瓶颈，台积电的3nm工艺就延迟了一年量产，而2nm工艺预计到2025年才能量产，与此前每年升级一代芯片制造工艺相比明显放慢，这是因为业界认为1nm是芯片制造技术的终点，越是接近1nm那么先进工艺就越难突破。

随着芯片制造工艺逐渐接近天花板，全球芯片行业开始寻求其他方式提升芯片性能，研发更先进的芯片材料是其中一个方向，但是这个方向恐怕要10年以后了，而封装技术则是当下最现实的选择，台积电、Intel建立的chiplet联盟就希望以先进的封装技术提升性能，中国在封测技术达到先进水平也将有助于在芯片封装技术方面突破。

中国在部分芯片生产技术方面达到世界先进水平，代表着中国芯片行业的实力，凸显出中国芯片行业只要努力，终究能打破当下的限制，以多种方式提升芯片性能，避免继续受制于人，这是芯片封测技术取得全球领先水平的重要意义。

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