电机驱动芯片

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从上图可看出，此电机驱动电路由4个NMOS管构成，形如H型，故名全H桥电路。通过控制4个MOS管的导通与截止达到对中间电机的不同控制效果。NMOS管的栅极为高电平时导通，低电平时截止。

当Q1、Q4的栅极为高电平，Q2、Q3为低电平时，Q1，Q4导通，如下图所示，电机正向旋转。

当Q2、Q3的栅极为高电平，Q1、Q4为低电平时，Q2，Q3导通，如下图所示，电机反向旋转。

可打开下面两篇文章详细了解。 慢速，混合和快速衰减模式 步进驱动器中的电流衰减

1.此处我也进行大致讲解： 所谓衰减模式，可简单理解为如何使电机停下：如果控制电机一直向一个方向旋转不会产生问题。但是如果这是想让电机停下，那么问题就来了。由于电机是感性负载，电流不能突变。在断开电机两端所加的电压时，电机产生的反向电动势很有可能损坏FET。因此想让电机停下，除了断开供电，还要形成一个续流的回路，释放掉电机上的能量。

2.驱动和衰减模式图：（来源于数据手册） 图中添上了FET的寄生二极管。

以左侧正向旋转的图为例： 1.首先电机正向旋转，电流流向如①线所示； 2.如果此时采取滑动/快衰减模式：四个MOSFET关断，电机上的电流会通过Q2和Q3的寄生二极管继续流动，如②线所示。可发现，此时电流的流向是与电源电压相反的，因此电流衰减很快，当电流衰减为0时，由于FET是关断的，电源电压不会加在电机上，电机会逐渐停下。 3.如果采取制动/慢衰减模式：Q2、Q4导通，Q1、Q3关断。电机上的电流通过Q2和Q4继续流动，如③线所示，电机上的能量会逐渐消耗在电机本身和Q2、Q3上，这样的电流衰减相对较慢。 ★ ★ ★ 有一点需要特别注意：快慢衰减指的是电流，而不是电机转动的速度。 ★ ★ ★

控制直流电机时，在快衰减模式下，由于电流迅速下降，那么电感电机上储存的能量就会释放很慢(简单理解E=I^2R),电机会逐渐停止，因此该模式又叫滑动； 而在慢衰减模式下，电机的两端类似于短接，电流很大且衰减慢，储存的能量被瞬间释放，此时电机会瞬间停止，因此该模式又叫制动。

下面这篇文章很好地对其进行了解释： The Difference Between Slow Decay Mode and Fast Decay Mode in H-Bridge DC Motor Applications

★H桥中绝对不能出现同侧（左侧/右侧）的FET同时导通的情况，因为这样会导致电流不经过电机直接到地，形成短路！因此在状态切换时需要一步一步来，而集成H桥的芯片一般会在内部自动解决这个问题（利用死区控制），如下图所示：在正转和制动之间切换时，会有一个过渡状态（OFF）。 ★此处还需补充一个知识：MOS管的高端与低端驱动。简单来说，高端驱动即MOS管在负载的高电位一端；相反低端驱动即MOS管在负载的低电位一端。如上图所示：Q1、Q3为高端驱动，Q2、Q4为低端驱动。在H桥中也常常被称为上臂和下臂。

★此外，如果对MOS管原理有所了解，则可看出，打开高端NMOS所需的栅极电压会比打开低端NMOS所需的栅极电压大很多(要高于驱动电源电压）。(因为开启需要条件Vgs>Vth，而高端MOS导通后的源极电位较高，几乎接近电源电压，此时如果栅极电压仍为电源电压，则又关断)

★驱动电压越大，转速越快；电流越大，扭矩越大；

★当扭矩