DRAM刷新过程和为什么要刷新

DRAM（dynamic Random Memory）称静态随机存储器，是由栅极电路组成的。电容内的电荷只能维持2ms即便不断电，2ms后信息也会消失。这就会导致本是1的数据变成0。 为什么SRAM不用刷新： SRAM采用双稳态触发器，有稳定电压一直供电，所以只要不断电，信息就不会流失。

有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读写周期。一个读写周期0.5us。 假设采取行列地址（为了减少引脚数量）。 假设DRAM内部结构排列成128*128的形式，读写周期0.5us。 分析：有128行，需要刷新，2ms的时间狗刷新4000次（2ms/0.5us） 1.分散刷新：

2us内，刷新2000次足够给128行存储单元进行刷新。 2.集中刷新： 合理利用2us的时间，剩下128*0.5us（64us）的时间来刷新，其余的用来读写程序。 在死区的时间内，cpu不能进行读写操作。 [外链图片转存失败,源站可能有防盗在这里插入!链机制,建描述]议将图片上https://传(imbog.cslimg.cn/reUnF27a820e2a8584554b47c69794ff4de1a.png)https://imgblog.csdnimg.cn/27a820e2a8584554b47c69794ff4de1a.png)] 3.异步刷新： 最优解，在死区的时间里cpu可以进行译码操作。