数字电路基础知识

数字电路基础知识——CMOS门电路 (非门、或非门、与非门、或门、与门、与或非门、异或门、OD门、传输门、三态门) 先了解二极管门电路逻辑，再次介绍CMOS门电路，也是IC中用的最广泛的门电路。 主要了解与非门、或非门以及相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快。OD门、传输门、三态门。

CMOS门电路介绍之前，先介绍二极管门电路：

只要有一个为低电平，Y端就被拉低到0.7V

只要有一个为高电平，Y端就被拉高到2.3V

输出的高低电平数值和输入的高低电平不相等，相差一个导通电压，如果输出作为下一级门输入信号，将发生高、低电平偏移 输出端对地接上负载电阻，组在电阻的改变会影响输出高电平。因此，这种电路只用作IC内部的逻辑单元，并不能作为输出端直接驱动负载。

反向器的介绍可以参考 数字电路基础知识——反相器的相关知识（噪声容限、VTC、转换时间、速度的影响因素、传播延时等）

除了反相器，比较常用的有 或非门、与非门、或门、与门、与或非门、异或门等。 逻辑表达式分别为： Y=(AB)’ T=(A+B)' 下面主要了解下与非门其缺点、和改进的电路.

主要缺点： 1）输出电阻R0受输入状态影响,即输出电阻不一样，能够相差四倍。如： A=1, B=1，则R0 = Ron2 + Ron4 = 2Ron A=0, B=0，则R0 = Ron2 // Ron4 = 1/2Ron A=0, B=1，则R0 = Ron1 = Ron A=0, B=0，则R0 = Ron3 = Ron

2）输出的高低电平受输入端数目的影响 输入端越多，，串联的驱动管数目也越多，输出的VOL越高，VOH也更高。 当输入端全部为低电平时，输入端越多负载并联的数目越多，输出的高电平VOH也越高。

3）使T2、T4的Vgs达到开启电压时，对应的Vi也会不同

相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快——与非门会更优

学过半导体器件都知道，电子迁移率是空穴的2.5倍（在硅基CMOS工艺中），运算就是用这些大大小小的MOS管驱动后一级的负载电容，翻转速度和负载大小一级前级驱动能力相关。为了上升延迟和下降延迟相同，PMOS需要做成NMOS两倍多大小。

载流子的迁移率，对PMOS而言，载流子是空穴；对NMOS而言，载流子是电子。

PMOS采用空穴导电，NMOS采用电子导电，由于PMOS的载流子的迁移率比NMOS的迁移率小，所以，同样尺寸条件下，PMOS的充电时间要大于NMOS的充电时间长。

在互补CMOS电路中，与非门是PMOS管并联，NMOS管串联，而或非门正好相反，所以，同样尺寸条件下，与非门的速度快，所以，在互补CMOS电路中，优先选择与非门。

针对上面问题进行改进 采用或非门加反相器（缓冲器 就是与非门，如上图所示。 带缓冲的门电路，输出电阻、输出的高低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响

对于或非门，则是与非门加缓冲器。

OD门：为了满足输出电平的转换，吸收大负载电流以及线与逻辑，将MOS改为漏极开路

OD输出的与非门结构图如下： OD门工作必须接上拉电阻RL到电源上。

OD门的应用：可以将多个OD门输出端直接相连，实现线与逻辑，即将输出并联使用，可以实现线与或用作电平转换和驱动。如下图所示： Y1、Y2中任何一个为低电平，输出都为低电平，同时为高时，输出才为高电平。

CMOS传输门：利用P沟道MOS管和N沟道MOS管互补的特性连接如下图

T1是N沟道增强型MOS管，T2是P沟道增强型MOS管。T1和T2的源极和漏极分别相连作为传输门的输入端和输出端。C和C’是互补的控制信号。 由于CMOS传输门的结构是对称的，所以，输出端和输入端可以互换，是一个双向器件。 CMOS传输门的应用： 1）传输门和反相器构成异或门电路： A=1，B=0，TG1截止，TG2导通，Y=B’=1 A=0，B=1，TG1导通，TG2截止，Y=B=1 A=0，B=0，TG1导通，TG2截止，Y=B=0 A=1，B=1，TG1截止，TG2导通，Y=B‘=0

2）模拟开关： 由传输门和一个反相器组成，双向器件。 传输连续变化的模拟电压信号。

1）高阻态： 三态门除了高低电平，还有第三个状态——高阻态。 高阻态：电路的一种输出状态，既不是高电平也不是低电平，如果高阻态再输入下一级电路的话，对下级电路无任何影响，可以理解为断路，不被任何东西所驱动，也不驱动任何东西。

三态门常用在IC的输出端，也称为输出缓冲器

2）下图是CMOS三态输出反相器的结构： 当EN’=0时，Y=A’： A=1,G4、G5的输出为高电平，T1截止、T2导通，Y=0; A=0,G4、G5的输出为低电平，T1导通、T2截止，Y=1; 当EN’=1时，不管A为高低状态，G4输出高电平，G5输出低电平，T1和T2同时截止，输出呈现高阻态。

3）三态门的应用： 减少各单元之间的连线数目： 数据的双向传输： 4）还有几种常见的三门结构： 图一： 三态非门，当~ EN为1时，最上面的PMOS和最下面的NMOS管截止，无论A取什么状态，输出为高阻态，反之输出为 Y= ~ A

图二： 利用一个与非门，得到三态缓冲门，当~EN为高电平时，最上面的PMOS管截止，输出为高阻态，反之，输出为 Y=A

图三： 三态非门，在反相器后面加一个传输门，当~EN为低电平，传输门导通，输出 Y = ~A，反之传输门截止，输出高阻态。如果想要EN高电平有效，交换传输门上下端子的反相器即可。

图四： 利用一个与非门，得到三态缓冲门，当~EN为高电平时，最上面的PMOS管截止，输出为高阻态，反之，输出为 Y=A