番外1：射频功放晶体管的重要参数

以MW6S004N的PDF手册为例！

工作频率： 晶体管正常工作的频率范围，图中1-2000M。

最大输出功率： 晶体管正常工作时所能输出的最大功率（一般指的是连续波状态下），图中1-2000M。

Power Gain功率增益 晶体管对射频信号的功率放大倍数，正常单管放大倍数为10-20dB，图中最高19dB左右。

Drain Efficiency漏极效率 输出功率与直流消耗功率之比，可以简单理解为功放的效率，图中典型值百分之33。

功率附加效率PAE 输出功率先减去输入功率，而后与直流消耗功率的比值。实际设计中输出功率往往远大于输入功率，因此PAE近似漏极效率。但使用PAE描述功放效率更加准确，图中未提及，近似于百分之33。

IMD交调失真 主要考虑三阶交调。当两个信号频率f1和f2或多个信号频率同时通过同一个无缘射频传输系统时，由于传输系统的非线性影响，使基频信号之间产生非线性频率分量。这种现象被称为交调，或称互调。把非线性频率分量称为交调产物。这些交调产物如果落在接收频带内，又足够的强，则形成对基波信号频率的干扰，称这种干扰为无源交调干扰，或无源交调失真。

可以承受的输出失配能力 输出驻波比在一定范围内晶体管可承受，超过范围可能导致工作异常或晶体管烧毁，因此需要做好阻抗匹配，图中为5：1。

Drain-Source Voltage漏源电压 漏极和源级之间的极限电压，在一般设计中源级接地，因此可以理解为漏极电压。

Gate-Source Voltage栅源电压 栅极和源级之间的极限电压，在一般设计中源级接地，因此可以理解为栅极电压，也就是晶体管的栅控制电压不可超过这个数值。

Storage Temperature Range储存温度 这个很好理解，晶体管宝宝需要一个温度适宜的家

Operating Junction Temperature工作结温范围 影响散热设计，散热设计非常重要，工作时芯片不能超过这个温度！！！

Thermal Characteristics热特性 热阻参数，一般的,接触热阻即：热交换的两个物体,当一个物体的热功率每变化1w,通过一定面积的热传导,而产生的物体温度的差值。在大功率设计中，热阻影响散热的设计，但是在一般设计中这个参数参考意义不大。

关断特性 Zero Gate Voltage Drain Leakage Current零栅压漏极电流 零栅压时晶体管处于关断状态，此时漏极电流应该为0。但是由于材料等影响因素无法达到理想状态，因此零栅压状态下晶体管漏极可能存在微小电流。零栅压漏极电流越小越好。

Gate-Source Leakage Current栅源电流 理想晶体管控制端栅极与源级断开而不会互相影响，但是现实中在栅源存在压降情况下会存在静态电流。栅源电流越小越符合理想状态。

导通特性 Gate Threshold Voltage栅极阈值电压 高于此电压晶体管导通，低于此电压晶体管关断。

Gate Quiescent Voltage栅极静态电压 一般栅极电压都是由人为设定，此处可能是手册推荐栅极电压为2.7V。

Fixture Gate Quiescent Voltage (1) 不太理解含有，但是影响不大。猜测是实测中的栅极静态电压范围。

Drain-Source On-Voltage漏源导通电压 栅极加压状态下，漏极与源极之间的电压大于此数值后导通，可近似理解为漏极与源极之间的压降。

动态特性 Reverse Transfer Capacitance反向传输电容 在频率较低时可以看为反馈电容

Output Capacitance输出电容 在频率较低时可以看为输出的寄生电容，在频率较高时则要额外考虑封装的寄生电容

Input Capacitance输入电容 在频率较低时可以看为输入的寄生电容，在频率较高时则要额外考虑封装的寄生电容

Input Return Loss回波损耗 回波损耗，又称为反射损耗。是电缆链路由于阻抗不匹配所产生的反射，是一对线自身的反射。不匹配主要发生在连接器的地方，但也可能发生于电路中特性阻抗发生变化的地方。

上图描述了在平均输出功率2W下的功率增益、回拨损耗、三阶交调、漏极效率参数 Gps：功率增益 IRL：回波损耗 IM3：三阶交调分量，单位dbc η：漏极效率

上图描述了窄带条件下输出功率增益和漏极静态电流的关系。静态电流越小越偏向C类，在功率增加时存在增益扩张。静态电流越大越偏向A类。 上图描述了输出功率和交调之间的关系。可以看到在输出功率1W时三阶交调存在一个极小值，因此设计时选取输出功率1w可获得较好的交调性能。

上图描述带宽与三阶交调特性的关系。输入两个单音信号，在两个单音信号的频率相差太大时会出现较高的互调。 上图为输出的1db、3db、6db压缩点，设计时最大输出功率不应大于1db压缩点功率。 上图描述晶体管对CDMA信号进行放大时的邻道泄露比参数。邻信道功率比（ACPR）是用来衡量邻频率信道中的干扰量或功率量的标准。ACPR 常定义为邻频率信道（或偏移量）的平均功率和发射频率信道的平均功率之比。

上图描述的是温度对增益和漏极效率的影响。 上图为输出功率和功率增益的关系，可见在输出功率过大时功率增益会迅速下降。 上图为功率放大器的响应特性，S11和S21。