材料科学基础必背名词解释（2）

部分位错：柏氏矢量小于点阵矢量的位错。堆垛层错：实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层错，简称层错。

位错的滑移（守恒运动）：在外加切应力作用下，位错中心附近的原子沿柏氏矢量b方向在滑移面上不断作少量位移（小于一个原子间距）而逐步实现。

位错的攀移（非守恒运动）：刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动，主要是通过原子或空位的扩散来实现的（滑移过程基本不涉及原子的扩散）。

位错反应：位错线之间可以合并或分解，称为位错反应。

位错密度：单位体积内所包含的位错线总长度r= L / V (cm-2)。一般，位错

密度也定义为单位面积所见到的位错数目r= n / A (cm-2) 。

交滑移：由于螺型位错可有多个滑移面，螺型位错在原滑移面上运动受阻时，可转移到与之相交的另一个滑移面上继续滑移。

双交滑移：如果交滑移后的位错再转回到和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双交滑移。

多滑移：当外力在几个滑移系上的分切应力相等并同时达到了临界分切应力时，产生同时滑移的现象。

滑移系：晶体中一个滑移面及该面上一个滑移方向的组合称一个滑移系。

扭折：位错交割形成的曲折线段在位错的滑移面上时，称为扭折。

割阶：若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为割阶。位错在某一滑移面上运动时，对穿过滑移面的其它位错（林位错）的交割包括扭折和割阶。

孪晶：孪晶是指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为孪晶，此公共晶面就称孪晶面。

孪生：晶体受力后，以产生孪晶的方式进行的切变过程叫孪生。

晶界：晶界是成分结构相同的同种晶粒间的界面。

相界：具有不同结构的两相之间的分界面称为“相界”。

晶界偏聚：由于晶内与晶界上的畸变能差别或由于空位的存在使得溶质原子或杂质原子在晶界上的富集现象。

亚晶界：相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界。

亚晶粒：一个晶粒中若干个位相稍有差异的晶粒称为亚晶粒。

界面：通常包含几个原子层厚的区域，其原子排列及化学成分不同于晶体内部，可视为二维结构分布，也称为晶体的面缺陷，包括外表面和内界面。

外表面：指固体材料与气体或液体的分界面。

内界面：分为晶粒界面、亚晶界、孪晶界、层错、相界面等。

小角度晶界：相邻晶粒的位相差小于10º亚晶界一般为2º左右。

对称倾斜晶界：晶界两侧晶体互相倾斜晶界的界面对于两个晶粒是对称的，其晶界视为一列平行的刃型位错组成。

大角度晶界：相邻晶粒的位相差大于10º 。

表面能：晶体表面单位面积自由能的增加，可理解为晶体表面产生单位面积新表面所作的功γ = dW/ds 。

晶界能:不论是小角度晶界或大角度晶界，这里的原子或多或少地偏离了平衡位置，所以相对于晶体内部，晶界处于较高的能量状态，高出的那部分能量称为晶界能，或称晶界自由能。

界面能:界面上的原子处在断键状态，具有超额能量。平均在界面单位面积上的超额能量叫界面能。

位错的应变能：位错周围点阵畸变引起的弹性应力场，导致晶体能量的增加，称为位错的应变能或位错的能量。

派-纳力：晶体滑移需克服晶体点阵对位错的阻力，即点阵阻力。

位错的塞积：当位错运动到晶界附近时，受到晶界的阻碍而堆积起来,称位错的塞积。

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