综述:基于二维过渡金属硫族化合物(2D TMDs)的光催化剂 – 材料牛 您所在的位置:网站首页 新型光催化材料有哪些 综述:基于二维过渡金属硫族化合物(2D TMDs)的光催化剂 – 材料牛

综述:基于二维过渡金属硫族化合物(2D TMDs)的光催化剂 – 材料牛

2024-02-22 03:57| 来源: 网络整理| 查看: 265

全文速览:

二维(2D)过渡金属硫族化合物(TMDs),后石墨烯时代的一颗新星,在光催化领域具有基础性和技术性的吸引力。它们非凡的电子、光子和化学属性使它们成为有效的捕光体和光催化体。本文对用于光催化的2D TMDs材料进行了教程式和前瞻式的回顾和展望,指出了2D TMDs在光催化领域作为助催化剂和活性光催化剂的优势和挑战,以及相应的设计策略,和未来的机遇。

 

2. 背景介绍:

2D TMDs(例如MoS2, WS2, NbSe2)构成了一个迷人的材料库。它们是石墨烯(零带隙)的一种很有前途的替代品,并且在某些方面有超越石墨烯的潜力,因为它们具有多样的化学性质,从金属(如NbS2和VSe2)、半金属(如WTe2和TiSe2)、半导体(如MoS2和WS2)到绝缘体(如HfS2)。

 

这类材料最近在电子、光子、光电子、能量转换、电催化、环境修复、生物传感和生物成像等领域引起了广泛的兴趣,因为它们具有非凡的性质,包括原子薄层、强自旋轨道耦合、可调带隙、,强烈的激子效应等。

 

在过去的十年中,2D TMDs在光催化领域也从技术上吸引了研究者的好奇心。自2008年李灿院士发表的开创性工作(使用MoS2作为光催化制氢的助催化剂,J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 7176)以来,关于该主题的出版物急剧的增长(图1)。尽管这是一个年轻的领域,挑战依然存在,但它确实指出了一个的富有成效的现状和光明的未来。

 

鉴于此,香港城市大学曾志远教授,香港中文大学余济美教授,名古屋大学王谦教授,以及哈尔滨工业大学(深圳)朱荣淑教授等人,总结和展望了2D TMDs材料在光催化领域的优势,挑战,策略和机遇。

图1 | 用于光催化的2D TMDs的研究工作和年度出版物数量。

 

3、正文解析:

(一)基础知识

(Ⅰ)2D TMDs的基础知识

本节介绍了2D TMDs的组成、晶体结构和电子能带结构,旨在让读者对该材料家族有一个初步的认识。

 

组成。TMDs通常标记为MX2(M:IVB族至VIII族的过渡金属元素;X:VIA族的S、Se和Te元素)(图2a),是典型的2D层状纳米材料。每个TMD单层包含三个原子层,形成“X-M-X”夹层结构。相邻的单层之间的距离为6-7Å,由微弱的范德华力结合在一起,这使得它们很容易被剥离。

 

晶体结构。TMDs存在多种晶体结构(图2b)。具体地说,有三种众所周知的晶体结构,这些结构是由过渡金属原子的不同配位几何结构所形成的,即2H(三棱柱形)、1T(八面体)和1T′(畸变八面体的)。2H TMDs表现出Bernal(ABA)堆叠,而1T TMDs中原子平面的堆叠顺序是菱形ABC。结构相的多样性导致多样的电子性质。例如,2H-MoS2表现出半导体属性,而1T-MoS2则表现出金属特性。

 

电子能带结构。TMD具有可调谐(取决于厚度)的电子带隙(图3a),这是由量子限域效应引起的。以2H-MoS2为例,其计算的电子带隙值范围从0.88 eV(块体)到1.71 eV(单层)。有趣的是,当MoS2的厚度降低到单层时,它从间接带隙半导体变为直接带隙半导体,同时发光特性发生了戏剧性的跳跃(图3b)。此外,~2.16 eV是单层MoS2的电子带隙的实验值。不同TMD单层之间的带隙值也不同(图3c),这进一步导致它们的光谱响应率不同(图3d)。

图2 | 2D TMDs的组成和晶体结构。

图3 | 2D TMDs的电子能带结构。

 

 

(Ⅱ)光催化的基础知识:

本节介绍了光催化的基础知识,旨在帮助读者在关注2D TMDs之前对该催化技术有一个初步印象。本节内容包括:光催化相比于其他催化的优势,光催化基本原理和过程,光催化的热力学需求,光催化的动力学挑战,光催化的系统配置,以及评价光催化性能的参数指标。

 

光催化的优势。光催化利用太阳能(一种丰富、无污染和可再生的自然能源),来驱动化学过程,被认为是一种很有前途的技术。与传统的热催化(通常需要高温和高压操作环境)相比,大多数光催化是在环境条件下操作的,且可以避免过度氧化和催化剂失活。

 

光催化基本原理和过程。通常,基本的光催化过程包括三个步骤(图4a):(1)光吸收;(2) 光生电荷载流子的分离和迁移;(3)表面氧化还原反应。值得注意的是,载流子迁移过程总是伴随着载流子复合,包括本体复合和表面复合,这不利于光催化,应尽可能避免。

 

光催化的热力学需求。光催化反应的发生需要满足热力学要求:(1)入射光子的能量应等于或大于半导体的光学带隙(Eg);(2) 半导体的价带最大值(VBM)需要比给体的氧化电位(E(D/D−))更正;(3) 而导带最小值(CBM)需要比受体的还原电位(E(A+/A))更负。

 

光催化的动力学挑战。除了上述热力学要求,光催化还面临许多动力学挑战:(1)三个基本步骤跨越10−15至10−1 s的巨大时间尺度(10−15-10−9 s的光吸收、



【本文地址】

公司简介

联系我们

今日新闻

    推荐新闻

    专题文章
      CopyRight 2018-2019 实验室设备网 版权所有